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申请/专利权人：南京邮电大学
摘要：本发明公开了高灵敏度的四孔垂直型霍尔器件及使用、制备、耦合方法，涉及磁传感器技术领域。本发明包括P型衬底，所述P型衬底中形成有N+埋层，P型衬底与N+埋层形成反向PN结构成横向保护环；所述N+埋层的上方形成有深N阱，所述深N阱上方表面形成多个重掺杂N+区，多个重掺杂N+区两两之间形成有平行的深P阱区，所述深P阱区表面形成有重掺杂P+区，且重掺杂P+区表面淀积金属作为深P阱区的接触电极；所述深N阱的四周形成有均匀环状的浅P阱区，环状浅P阱区与深N阱相交叠，并与深P阱区相连。本发明的四孔垂直型霍尔器件结构能够有效提高磁场灵敏度，隔离衬底噪声干扰，为实现低成本、高分辨率的集成多轴磁场传感器提供了可行的方案。
主权项：1.高灵敏度的四孔垂直型霍尔器件，包括P型衬底（12），其特征在于，P型衬底（12）中形成有N+埋层（11），P型衬底（12）与N+埋层（11）形成反向PN结以构成横向保护环；N+埋层（11）的上方形成有深N阱（6），深N阱（6）上方表面形成多个重掺杂N+区（1），多个重掺杂N+区（1）相互之间形成有深P阱区（4），深P阱区（4）表面形成有重掺杂P+区（2），且重掺杂P+区（2）表面淀积金属作为深P阱区（4）的接触电极；深N阱（6）的四周形成有均匀的环状浅P阱区（5），环状浅P阱区（5）与深N阱（6）相交叠，并与深P阱区（4）相连；N+埋层（11）上形成有高压N阱（8），高压N阱（8）与深N阱（6）之间形成有P型外延层（7），高压N阱（8）与P型外延层（7）形成反向PN结以构成第一纵向保护环，且高压N阱（8）外侧形成有深沟槽隔离（9）以构成第二纵向保护环；深沟槽隔离（9）外侧形成高压P阱（10），在高压P阱（10）表面也形成有P+区（2），P+区（2）表面淀积金属作为P型衬底电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 高灵敏度的四孔垂直型霍尔器件及使用、制备、耦合方法
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