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申请/专利权人：上海林众电子科技有限公司

摘要：本发明提供一种超结绝缘双极型晶体管及其制备方法，方法包括：于N型基板上依次形成N型漂移层，N型离子注入层；蚀刻形成的沟槽一部分到达N型漂移层中；于沟槽一内形成复晶硅栅极；形成P型基层；蚀刻形成沟槽二并于沟槽二内沉积形成P型复晶硅柱；形成N+发射极以及形成P+发射极；对栅极绝缘氧化层执行正面金属工艺，以形成发射极金属；在N型基板背面依次形成N型场截止层，P型离子注入层；于P型离子注入层背向述N型基板背面执行金属工艺。其技术方案的有益效果在于，其在电荷平衡制程条件下，超级结的双极晶体管的崩溃电压值是由P型复晶硅柱深度决定，有利不同额定电压之功率器件发展。

主权项：1.一种超结绝缘双极型晶体管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供一N型基板，于所述N型基板上依次形成N型漂移层，N型离子注入层；S2、对所述N型离子注入层进行蚀刻，使形成的沟槽一部分到达所述N型漂移层中；S3、于所述沟槽一内以及所述N型离子注入层的顶部分别形成栅极绝缘氧化层，并继续于所述沟槽内沉积形成复晶硅栅极；S4、于所述栅极绝缘氧化层的顶部执行离子注入，并于离子注入后执行退火处理，以在所述栅极绝缘氧化层的下方所述N型离子注入层的上方形成P型基层；S5、在所述栅极绝缘氧化层的顶部两侧进行蚀刻，以形成预定深度的沟槽二，继续于所述沟槽二内沉积形成P型复晶硅柱；S6、对非所述沟槽二的顶部区域进行离子注入，以形成N+发射极；S61、在所述沟槽二的上方分别放置光罩二，所述光罩二的覆盖宽度略大于所述沟槽二的宽度；S62、采用离子注入工艺对所述光罩未覆盖的区域注入磷离子，以在所述沟槽一的两侧形成N+发射极；S7、对所述沟槽二的顶部区域进行离子注入，以形成P+发射极；S71、去除所述光罩二，在原所述光罩二未覆盖的区域，覆盖上光阻，暴露原所述光罩二覆盖的区域；S72、采用离子注入工艺对未覆盖的区域注入硼离子，以在所述沟槽二的两侧顶部形成P+发射极；S8、对所述栅极绝缘氧化层执行正面金属工艺，以形成发射极金属；S9、在所述N型基板背面依次形成N型场截止层，P型离子注入层；S10、于所述P型离子注入层背向所述N型基板背面执行金属工艺。

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