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申请/专利权人：深圳平湖实验室
摘要：本发明公开了一种晶体管、其制作方法及电子器件，包括：衬底、以及依次叠层设于衬底之上的外延层和电极层；电极层包括：设于外延层之上的源极、栅极结构和漏极；外延层还包括阻断结构，二维空穴气被阻断结构分割为多段；阻断结构包括第一阻断结构和第二阻断结构中的至少一个。如此，通过设置阻断结构，阻碍了二维空穴气中空穴电流的流动，在设置有第一阻断结构时，隔断了栅极结构、二维空穴气和源极之间的漏电通道，在设置有第二阻断结构时，隔断了栅极结构、二维空穴气和漏极之间的漏电通道，从而抑制了晶体管的漏电现象，降低了晶体管的能耗。
主权项：1.一种晶体管，其特征在于，包括：衬底、以及依次叠层设于所述衬底之上的外延层和电极层；所述电极层包括：设于所述外延层之上的源极、栅极结构和漏极；所述外延层包括：依次叠层设于所述衬底之上的缓冲层、第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；所述第二半导体层内靠近所述第三半导体层的一侧包括二维电子气，所述第二半导体层内靠近所述第一半导体层的一侧包括二维空穴气；所述外延层还包括阻断结构，所述二维空穴气被所述阻断结构分割为多段，所述阻断结构背离所述衬底一侧的第一表面位于所述二维电子气与所述二维空穴气之间；所述阻断结构包括第一阻断结构和第二阻断结构中的至少一个，所述第一阻断结构向所述电极层具有第一正投影，所述第一正投影中的至少部分位于所述源极和所述栅极结构朝向所述漏极一侧的边缘之间；所述第二阻断结构向所述电极层具有第二正投影，所述第二正投影的至少部分位于所述栅极结构与所述漏极背离所述栅极结构一侧的边缘之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳平湖实验室 一种晶体管、其制作方法及电子器件
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