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申请/专利权人：南开大学
摘要：本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种基于交叉阵列结构设计的单分子膜忆阻器及其制备方法。所述单分子膜忆阻器包括单分子膜忆阻模块，该模块包括单分子膜、金属源端电极和石墨烯漏端电极；金属漏端电极，其设置于石墨烯漏端电极顶部的相对两端；单分子膜忆阻模块以M×N阵列形式设置；所述单分子膜忆阻器制备方法包括：底部导电条、绝缘层、绝缘支撑层、金属源端电极、自组装单分子膜、石墨烯漏端电极以及金属漏端电极的制备。通过此制备方法制备的基于交叉阵列结构设计的单分子膜忆阻器具有较高的良品率和稳定性，具有制造下一代人工神经网络的分子电路的潜力。
主权项：1.一种基于交叉阵列结构设计的单分子膜忆阻器，其特征在于，包括：单分子膜忆阻模块，所述单分子膜忆阻模块包括单分子膜、金属源端电极和石墨烯漏端电极，所述单分子膜在竖直的方向上延伸，所述单分子膜的底端连接所述金属源端电极，所述单分子膜顶端连接所述石墨烯漏端电极；还包括金属漏端电极，所述金属漏端电极设置于所述石墨烯漏端电极顶部的相对两端；所述单分子膜忆阻模块设置数个，数个所述单分子膜忆阻模块以M×N阵列形式设置，其中，M为每行所述单分子膜忆阻模块的设置数量，N为每列所述单分子膜忆阻模块的设置数量；所述金属源端电极设置于底部导电条上，所述底部导电条在水平方向上纵向延伸，所述金属源端电极设置于所述底部导电条顶部，每列底部导电条上设置N个所述金属源端电极，N个所述金属源端电极等距间隔设置；所述底部导电条设置M个，M个所述底部导电条等距间隔设置；所述石墨烯漏端电极在水平方向上横向延伸，所述石墨烯漏端电极设置N个，N个所述石墨烯漏端电极等距间隔设置；所述底部导电条的顶部覆盖绝缘支撑层，相邻所述底部导电条之间设置绝缘层；所述单分子膜由紫精类化合物自组装而成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南开大学 一种基于交叉阵列结构设计的单分子膜忆阻器及其制备方法
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