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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种电磁辐照下静电放电保护的CMOS电路的效应分析方法，包括：根据ESD防护器件的参数进行建模得到几何结构模型，建立等效物理模型；利用有限元计算法对等效物理模型的网格结构进行剖分，以使得剖分后的等效物理模型保持收敛；根据剖分后的等效物理模型得到仿真等效电路模型；通过外加不断改变相关参数的电磁脉冲信号，根据相应模型分析仿真等效电路模型中ESD防护器件的载流子变化情况、电流密度分布情况以及温度分布情况，从而得到ESD防护器件的潜在失效位置；使得相关人员能够进行对应的可靠性加固；根据电磁脉冲信号的脉宽变化趋势和对应的峰值温度曲线，得到ESD防护器件的电热效应损伤，弥补了本领域相关技术的空白。
主权项：1.一种电磁辐照下静电放电保护的CMOS电路的效应分析方法，其特征在于，包括：根据ESD防护器件的参数进行建模，得到所述ESD防护器件的几何结构模型；根据所述几何结构模型的各个区域对应的掺杂浓度，建立所述ESD防护器件的等效物理模型，利用有限元计算法对所述等效物理模型的网格结构进行剖分，得到剖分后的等效物理模型；将所述剖分后的等效物理模型与CMOS电路在仿真软件中连接，进行稳态和瞬态条件设置，得到仿真等效电路模型；对所述仿真等效电路模型外加不断改变相关参数的电磁脉冲信号，根据载流子的迁移率模型、载流子输运模型和热学模型，进行电热耦合仿真得到所述ESD防护器件每个时刻的电流密度分布图和温度分布图，从而得到所述ESD防护器件的潜在失效位置；所述相关参数包括：幅值、脉宽和频率；根据所述电磁脉冲信号的脉宽的变化趋势和所有时刻的温度分布图对应的峰值温度曲线，得到电磁脉冲对所述ESD防护器件的电热效应损伤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 电磁辐照下静电放电保护的CMOS电路的效应分析方法
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