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申请/专利权人：天水天光半导体有限责任公司

摘要：本申请公开了一种CMOS电路的仿真构建方法及CMOS电路，属于CMOS电路的仿真设计领域，该方法通过在单电压模式的第一CMOS电路模型的输入端增加电压补偿电路模型、电压传输电路模型和电压模式选择电路模型，构建得到多电压模式的第二CMOS电路模型，对电压补偿电路模型的电压补偿性能、电压传输电路模型的电压传输性能以及输入输出电压波形进行仿真验证，获得电压补偿电路模型中的多个目标晶体管的沟道宽度长度比之间的第一比例关系以及电压传输电路模型中的多个目标晶体管的沟道宽度长度比之间的第二比例关系。本申请实现快速构建多电压模式的CMOS电路，并达到良好的功耗电流和传输延迟时间的性能要求。

主权项：1.一种CMOS电路的仿真构建方法，其特征在于，包括：在单电压模式的第一CMOS电路模型的输入端增加电压补偿电路模型、电压传输电路模型和电压模式选择电路模型，构建得到多电压模式的第二CMOS电路模型，所述电压补偿电路模型用于在所述电压模式选择电路模型处于第一接口电压的第一电压模式时，对接入的第一接口电压进行电压补偿以输出第三接口电压来驱动所述第一CMOS电路模型，所述电压传输电路模型用于在所述电压模式选择电路模型处于第二接口电压的第二电压模式时，对接入的第二接口电压进行传输以输出第三接口电压来驱动所述第一CMOS电路模型；对处于第一电压模式时所述电压补偿电路模型的电压补偿性能以及所述第二CMOS电路模型的输入输出电压波形进行仿真验证，获得所述电压补偿电路模型中的多个目标晶体管的沟道宽度长度比之间的第一比例关系，并基于所述第一比例关系优化所述电压补偿电路模型；对处于第二电压模式时所述电压传输电路模型的电压传输性能以及所述第二CMOS电路模型的输入输出电压波形进行仿真验证，获得所述电压传输电路模型中的多个目标晶体管的沟道宽度长度比之间的第二比例关系，并基于所述第二比例关系优化所述电压传输电路模型；所述电压补偿电路模型和电压传输电路模型的输出端均连接至所述第一CMOS电路模型的输入端，所述电压模式选择电路模型的输入端接入电压模式使能信号，所述电压模式选择电路模型的输出端分别连接至所述电压补偿电路模型的第一输入端和所述电压传输电路模型的第一输入端，所述电压补偿电路模型的第二输入端和所述电压传输电路模型的第二输入端接入第一接口电压或第二接口电压，其中所述第一接口电压是TTL接口电压，所述第二接口电压和第三接口电压是CMOS接口电压。

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