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申请/专利权人：法国原子能及替代能源委员会;威比特纳米技术有限公司

摘要：本发明涉及一种组件1，该组件包括至少两个非易失性电阻式存储器20，30，其彼此并联地电布置并且每个非易失性电阻式存储器被串联电连接到选择器层11以分别形成至少两个选择器，每个选择器被指派给存储器20，30之一，该组件包括两个上部电极121，122，两个上部电极均在选择器层11上方延伸并且彼此电绝缘，电阻式存储器20中的一个抵靠第一上部电极121的侧表面1211延伸，并且电阻式存储器30中的另一个抵靠第二上部电极122的侧表面1222延伸。

主权项：1.一种组件1，包括至少两个非易失性电阻式存储器，至少两个非易失性电阻式存储器彼此并联地电安置，并且每个非易失性电阻式存储器被串联电连接到选择性层以分别形成至少两个选择器，每个选择器专用于存储器之一，所述组件包括：-第一平面堆叠10，包括：-平行于给定水平面P延伸的第一有源层11，第一有源层11是所述选择性层；以及-第一上部电极121和第二上部电极122，第一上部电极121和第二上部电极122均在第一有源层11上延伸并且彼此电绝缘，第一上部电极121由侧表面1211、1212横向地界定，第二上部电极122由另外的侧表面1221、1222横向地界定，绝缘层62在第一上部电极121的侧表面1212的一部分与第二上部电极122的侧表面1221的一部分之间延伸，以使第一上部电极121与第二上部电极122电绝缘；-第二堆叠20，第二堆叠20与所述平面P倾斜或垂直地延伸，第二堆叠20包括第二有源层21，第二有源层21的至少一部分与第一上部电极121的侧表面的另一部分1211相对地延伸，第二有源层21与第一上部电极121电接触，第二有源层21是非易失性电阻式存储器层；-第三堆叠30，第三堆叠30与所述平面P倾斜或垂直地延伸，第三堆叠30包括第三有源层31，第三有源层31的至少一部分与第二上部电极122的侧表面的另一部分1222相对地延伸，第三有源层32与第二上部电极122电接触，第三有源层21是非易失性电阻式存储器层；-不相交的第二有源层和第三有源层21、31，它们之间没有直接电接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 法国原子能及替代能源委员会 威比特纳米技术有限公司 包括至少两个非易失性电阻式存储器和两个选择器的组件、相关联的矩阵和制造方法