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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司
摘要：本发明提供了一种单晶炉和晶棒，涉及半导体技术领域，所述单晶炉，包括：炉体，以及，设置于所述炉体内的坩埚和导流装置；所述导流装置设置于所述坩埚上方，且位于所述坩埚的内壁面和所述单晶炉生成的晶棒之间；其中，通过所述晶棒与所述导流装置之间的空隙、所述导流装置与所述坩埚上方之间的空隙，以及，所述坩埚的外侧壁与所述炉体的内壁面之间的空隙形成气流通道，所述气流通道用于流通保护气体。本发明，通过气流通道导通保护气体，避免保护气体在单晶炉出现涡流现象，进一步避免涡流现象产生的沉积物。
主权项：1.一种单晶炉，其特征在于，包括：炉体，以及，设置于所述炉体内的坩埚和导流装置；所述导流装置设置于所述坩埚上方，且位于所述坩埚的内壁面和所述单晶炉生成的晶棒之间；其中，通过所述晶棒与所述导流装置之间的空隙、所述导流装置与所述坩埚上方之间的空隙，以及，所述坩埚的外侧壁与所述炉体的内壁面之间的空隙形成气流通道，所述气流通道用于流通保护气体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 西安欣芯材料科技有限公司 单晶炉和晶棒
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