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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本发明公开了用于SIMS设备的测试样品的制备方法及二次离子质谱分析方法，该制备方法包括：提供包括半导体衬底以及设置于半导体衬底的第一表面的绝缘层的初始样品；对绝缘层进行第一处理，使半导体衬底的第一表面形成相互交错分布的至少一个凸起的子绝缘结构以及与子绝缘结构相邻的至少一个空置区域，得到第一处理样品；子绝缘结构具有第二表面；对第一处理样品进行第二处理，使空置区域及子绝缘结构的第二表面上形成导电层，得到测试样品。在SIMS测试过程中减少E‑Gun发射电子束对测试样品表面的破坏，维持了SIMS设备的分析仓内真空度的稳定，使E‑Gun发射的电子束对样品表面的累积电荷起到良好中和效果，确保二次离子传输效率，提高SIMS测试数据的准确性。
主权项：1.一种用于SIMS设备的测试样品的制备方法，其特征在于，包括：提供初始样品，所述初始样品包括半导体衬底1以及设置于所述半导体衬底1的第一表面的绝缘层2；对所述绝缘层2进行第一处理，以使所述半导体衬底1的第一表面上形成有相互交错分布的至少一个凸起的子绝缘结构21以及与所述子绝缘结构21相邻的至少一个空置区域11，得到第一处理样品；其中，所述子绝缘结构21具有第二表面；对所述第一处理样品进行第二处理，以使所述空置区域11及所述子绝缘结构21的第二表面上形成有导电层3，得到测试样品。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 用于SIMS设备的测试样品的制备方法及二次离子质谱分析方法
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