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申请/专利权人：AMS-欧司朗国际有限公司
摘要：本发明涉及一种光电子发光设备，包括至少部分透明的第一嵌入层和布置在第一嵌入层上的至少部分透明的至少一个载体衬底，在该至少一个载体衬底的面向第一嵌入层的一侧上布置有结构化的导电层和至少一个光电子半导体器件。第一嵌入层在此嵌入结构化的导电层和光电子半导体器件。此外，光电子半导体器件被构成为由光电子半导体器件的上侧至少沿主放射方向发射光，并且由光电子半导体器件的下侧沿相反于主放射方向的方向发射光。沿相反于主放射方向的方向观察，在光电子半导体器件之下设有基本不透光的区域，该不透光的区域的尺寸取决于以下因素中的至少两个：‑光电子半导体器件的下侧与不透光的区域之间的垂直距离；‑光电子半导体器件的下侧的面积；以及‑由光电子半导体器件的下侧发射的光的最大放射角。
主权项：1.一种光电子发光设备1，包括：至少部分透明的第一嵌入层3；和布置在所述第一嵌入层3上的至少部分透明的至少一个载体衬底4，在所述至少一个载体衬底的面向所述第一嵌入层3的一侧上布置有结构化的导电层5和至少一个光电子半导体器件6；其中，所述第一嵌入层3嵌入所述结构化的导电层5和所述至少一个光电子半导体器件6；其中，在常规使用中，所述至少一个光电子半导体器件6被构成为通过所述光电子半导体器件6的上侧6a至少沿主放射方向E1发射光，并且通过所述光电子半导体器件6的下侧6b沿相反于所述主放射方向的方向E2发射光；并且其中，沿相反于所述主放射方向的方向E2观察，在所述至少一个光电子半导体器件6之下设有基本不透光的区域7，所述不透光的区域7特别是反射的区域，所述不透光的区域7的尺寸取决于以下因素中的至少两个：-所述光电子半导体器件6的下侧6b与所述不透光的区域7之间的垂直距离d；-所述光电子半导体器件6的下侧6b的面积；以及-由所述光电子半导体器件6的下侧6b发射的光的最大放射角α。
全文数据：
权利要求：
百度查询： AMS-欧司朗国际有限公司 光电子发光设备和方法
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