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一种高纯度光甘草定及其制备工艺 

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申请/专利权人:上海奥利实业有限公司

摘要:本发明提出了一种高纯度光甘草定及其制备工艺,属于分离纯化技术领域。包括以下步骤:S1.酶解;S2.超高压提取;S3.深共熔溶剂分离;S4.分子蒸馏纯化;S5.分子印迹聚合物纯化。本发明高纯度光甘草定的制备工艺简单,溶剂消耗量小,分离选择性好,更加绿色环保,效率高,成本低,可以得到工业化应用,得到的光甘草定纯度高,收率高,具有广阔的应用前景。

主权项:1.一种高纯度光甘草定的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:S1.酶解:将光果甘草渣加入水中,加入复合酶,酶解,得到酶解液;复合酶为纤维素酶和中性蛋白酶的混合物;S2.超高压提取:向步骤S1制得的酶解液中加入氨水-乙醇混合提取液,超高压提取,过滤,干燥,得到提取物;S3.深共熔溶剂分离:将步骤S2制得的提取物加入深共熔溶剂的水溶液中,通入CO2,搅拌提取,过滤,滤液中加入磷酸钠,搅拌反应,静置,离心,收集上清液;所述深共熔溶剂的水溶液的含水量为20wt%-30wt%,所述深共熔溶剂为氯化胆碱和丙三醇按照摩尔比为1:(2-4)混合均匀的溶液;S4.分子蒸馏纯化:将步骤S3中的上清液进行分子蒸馏,加热至85℃-95℃,将馏出物弃除,加热至125℃-135℃,收集馏出物;S5.分子印迹聚合物纯化:将分子印迹聚合物装柱,加入步骤S4中收集的馏出物,乙醇-甲酸混合液洗脱,收集洗脱液,减压除去溶剂,得到高纯度光甘草定;所述分子印迹聚合物的制备工艺如下:T1.将光甘草定、功能单体、交联剂、致孔剂混合,惰性气体保护下,加入引发剂,加热聚合反应,过滤,干燥,研磨制得聚合物;所述功能单体包括1-乙烯基咪唑、4-乙烯基吡啶、甲基丙烯酸丁酯,质量比为(3-5):(7-10):(1-3),所述交联剂为二甲基丙烯酸乙二醇酯;T2.将步骤T1制得的聚合物加入索氏提取器中,用洗脱液洗脱至检测不到光甘草定,洗涤聚合物颗粒,过筛,收集200-300目颗粒,干燥,制得分子印迹聚合物。

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