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申请/专利权人：北京中博芯半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及一种高可靠性倒装结构深紫外LED芯片及其制备方法，所述方法包括：获取深紫外LED外延片，所述深紫外LED外延片由内到外依次包括缓冲层、n型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层和p型AlGaN层；在所述深紫外LED外延片台面第一区域内进行刻蚀，以暴露所述n型AlGaN层，并在所述第一区域内的所述n型AlGaN层上制备n型欧姆接触；对所述p型AlGaN层台面的边缘区域进行刻蚀，以暴露所述电子阻挡层，并在所述p型AlGaN层上制备p型欧姆接触；将所述n型欧姆接触与所述p型欧姆接触的电极引出，进行倒装封装，得到高可靠性倒装结构深紫外LED芯片。本发明能够优化电流分布，减少热量积累，提高倒装结构深紫外LED的光效和可靠性。
主权项：1.一种高可靠性倒装结构深紫外LED芯片的制备方法，所述方法包括：获取深紫外LED外延片，所述深紫外LED外延片由内到外依次包括衬底、缓冲层、n型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层和p型AlGaN层；在所述深紫外LED外延片台面第一区域内进行刻蚀，以暴露所述n型AlGaN层，并在所述第一区域内的所述n型AlGaN层上制备n型欧姆接触；对所述p型AlGaN层台面的边缘区域进行刻蚀，以暴露所述电子阻挡层，并在所述p型AlGaN层上制备p型欧姆接触；将所述n型欧姆接触与所述p型欧姆接触的电极引出，进行倒装封装，得到高可靠性倒装结构深紫外LED芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京中博芯半导体科技有限公司 一种高可靠性倒装结构深紫外LED芯片及其制备方法
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