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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底，并于衬底的表面形成钝化层；于钝化层的表面形成第一黏附层；于第一黏附层的表面形成应力释放层，应力释放层的厚度小于第一黏附层的厚度；于应力释放层的表面形成目标金属层；于目标金属层的表面形成第二黏附层。上述半导体结构的制备方法中，应力释放层能够有效降低目标金属层的晶粒大小，以抑制目标金属层向上释放应力的趋势，并且在不影响整体结构厚度的前提下，有效避免鼓泡状缺陷，于目标金属层的表面形成第二黏附层，能够有效提升目标金属层与第二黏附层之间的粘附性，以降低鼓泡状缺陷，从而提升目标金属层的形貌，以提高半导体产品的生产良率。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，并于所述衬底的表面形成钝化层；于所述钝化层的表面形成第一黏附层；于所述第一黏附层的表面形成应力释放层，所述应力释放层的厚度小于所述第一黏附层的厚度；于所述应力释放层的表面形成目标金属层；于所述目标金属层的表面形成第二黏附层。
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百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
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