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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明提供一种纵向功率器件的背部低阻通孔结构的制造方法，通过在衬底刻蚀沟槽并淀积重掺杂的多晶硅形成背部低阻通孔结构，进一步的减少器件的衬底电阻和降低器件的静态功耗，该制造方法无需付出更加高昂的成本或使用更加先进的工艺技术用来减薄器件的衬底，更容易实现降低器件的衬底电阻。
主权项：1.一种纵向功率器件的背部低阻通孔结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1制造纵向器件，直到器件形成第一类重掺杂区106并且退火；步骤2于所述器件上表面淀积形成隔离介质层107，并对隔离介质层进行退火处理；步骤3对所述器件的衬底背部进行减薄工艺实现衬底减薄；步骤4于所述器件的衬底背部淀积一层氧化层作为阻挡氧化层203；步骤5于所述器件的衬底背面氧化层上旋涂光刻胶；通过光刻工艺刻蚀图形并刻蚀氧化层形成刻蚀窗口；步骤6于所述器件的衬底的氧化层窗口中刻蚀衬底硅形成沟槽205；步骤7去除光刻胶，通过热氧化工艺在所述沟槽表面形成一层牺牲氧化层，并通过湿法刻蚀去除所述牺牲氧化层206；步骤8于所述沟槽内淀积第一类重掺杂多晶硅并回刻至器件下表面，再通入惰性气体进行900℃以上的高温退火；步骤9于所述器件表面刻蚀隔离介质层，在器件上表面旋涂光刻胶；通过光刻工艺刻蚀图形并刻蚀氧化层形成金属通孔，离子注入第二类掺杂材料形成第二类重掺杂区，并且快速热退火形成体端重掺杂区109；步骤10于所述器件表面淀积阻挡层金属并回刻，然后淀积互联金属并形成不同电极，并进行退火，最后于所述器件表面淀积钝化层300；步骤11于所述衬底下表面形成背部金属层208。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种纵向功率器件的背部低阻通孔结构的制造方法
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