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申请/专利权人：北京领为军融科技有限公司
摘要：本发明提供通过多总线接口实现片内flash升级的方法，在MCU进行系统重启时，判断bootloader启动代码区域是否存在升级标志位；根据升级标志位存在与否的判断结果以及所述MCU的接口状态，对MCU的内部flash进行升级处理，并跳转到相应APP运行流程；当MCU跳转到相应APP运行流程后，判断相应APP是否包含升级指令；再根据相应APP是否包含升级指令的判断结果，调整对应用程序的启动操作，其利用bootloader引导应用程序完成加载升级，与正常通信串口和网口复用，在升级过程中通信串口和网口用于下发升级包，不影响通信串口和网口原有的工作模式，使得选择升级的方式多样化，方便更新维护和产品更新迭代，其与MCU自带的引导程序相比，方便本地和远程完成应用升级，具有低成本和良好交互性。
主权项：1.通过多总线接口实现片内flash升级的方法，其特征在于，包括：当MCU进行系统重启时，判断bootloader启动代码区域是否存在升级标志位；根据所述升级标志位存在与否的判断结果以及所述MCU的接口状态，对所述MCU的内部flash进行升级处理，并跳转到相应APP运行流程；当所述MCU跳转到相应APP运行流程后，判断相应APP是否包含升级指令；再根据相应APP是否包含升级指令的判断结果，调整对应用程序的启动操作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京领为军融科技有限公司 通过多总线接口实现片内flash升级的方法
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