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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明涉及一种在半导体晶片上制备钨的方法。该方法中，利用化学气相沉积在半导体晶片的第一表面沉积钨，所述半导体晶片的与所述第一表面相对的第二表面即背面贴附在基座上，并且在体生长阶段插入至少一次热退火操作，通过所述热退火操作可以缓解沉积在半导体晶片上的钨积聚的应力，降低半导体晶片的翘曲风险，减少化学气相沉积的工艺气体对半导体晶片背面的破坏，达到保护晶片背面的目的。
主权项：1.一种在半导体晶片上制备钨的方法，其特征在于，包括：利用化学气相沉积在半导体晶片的第一表面沉积钨，所述半导体晶片的与所述第一表面相对的第二表面贴附在基座上，所述化学气相沉积的沉积过程包括成核阶段和体生长阶段，其中，在所述体生长阶段，还插入至少一次热退火操作，所述热退火操作位于所述体生长阶段期间，在所述热退火操作之前的一段时间和之后的一段时间，执行的是化学气相沉积的体生长过程，在进行所述热退火操作前，暂停所述化学气相沉积的沉积过程，所述热退火操作的设定退火温度为350℃~400℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 在半导体晶片上制备钨的方法
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