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应用于半导体晶圆加工下的夹持翻转处理方法及系统 

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申请/专利权人:深圳洁盟技术股份有限公司

摘要:本发明涉及半导体晶圆技术领域,揭露一种应用于半导体晶圆加工下的夹持翻转处理方法及系统,方法包括:检测半导体晶圆在当前放置台上的光刻正面、非光刻背面及侧壁,识别当前放置台的当前高度与目标放置台的目标高度;在支柱上将翻转结构的高度升降为当前高度之后,利用翻转结构的夹持组件夹持半导体晶圆,得到夹持晶圆,利用翻转结构的旋转组件对夹持晶圆进行晶圆翻转;计算当前放置台与目标放置台之间的放置台夹角,利用当前高度与目标高度识别放置台夹角的区域内是否存在高度障碍物;在放置台夹角的区域内存在高度障碍物时,利用翻转结构与支柱规划翻转晶圆在放置台夹角的区域内的夹持轨迹。本发明可在不增加额外装置下实现晶圆夹持翻转。

主权项:1.一种应用于半导体晶圆加工下的夹持翻转处理方法,其特征在于,所述方法包括:构建半导体晶圆加工下的夹持翻转系统,其中,所述夹持翻转系统包括支柱、翻转结构及放置台,所述放置台包括当前放置台与目标放置台;检测所述半导体晶圆在所述当前放置台上的光刻正面、非光刻背面及侧壁,识别所述当前放置台的当前高度与所述目标放置台的目标高度,其中,所述检测所述半导体晶圆在所述当前放置台上的光刻正面、非光刻背面及侧壁,包括:采集所述半导体晶圆的晶圆图像;计算所述晶圆图像与预设的背面模板之间的相似度;基于所述相似度,检测所述半导体晶圆在所述当前放置台上的非光刻背面;将所述半导体晶圆上属于所述非光刻背面的反面的一面作为所述光刻正面;将所述半导体晶圆上不属于所述非光刻背面与所述光刻正面的一面作为所述侧壁;所述识别所述当前放置台的当前高度与所述目标放置台的目标高度,包括:从所述支柱的顶部向所述当前放置台的顶部发射探测激光;在所述支柱的顶部接收所述当前放置台的顶部关于所述探测激光的反射激光;利用所述探测激光与所述反射激光的时长与速度计算所述支柱的顶部与所述当前放置台的顶部之间的顶部距离;测量所述当前放置台的当前水平坐标与所述支柱的支柱水平坐标之间的当前-支柱距离;根据所述顶部距离与所述当前-支柱距离,利用预设的勾股定理计算所述当前放置台的当前高度;计算所述目标放置台的目标高度;在所述支柱上将所述翻转结构的高度升降为所述当前高度之后,基于所述侧壁,利用所述翻转结构的夹持组件夹持所述半导体晶圆,得到夹持晶圆,并基于所述光刻正面与所述非光刻背面,利用所述翻转结构的旋转组件对所述夹持晶圆进行晶圆翻转,得到翻转晶圆,其中,所述基于所述光刻正面与所述非光刻背面,利用所述翻转结构的旋转组件对所述夹持晶圆进行晶圆翻转,得到翻转晶圆,包括:分别确定所述光刻正面的正面朝向与所述非光刻背面的背面朝向;获取所述当前放置台的正面朝向需求与背面朝向需求;在所述正面朝向不符合所述正面朝向需求且所述背面朝向不符合所述背面朝向需求时,基于预设的翻转角度,利用所述翻转结构的旋转组件将所述夹持晶圆进行晶圆翻转,得到翻转晶圆;计算所述当前放置台与所述目标放置台之间的放置台夹角,利用所述当前高度与所述目标高度识别所述放置台夹角的区域内是否存在高度障碍物;在所述放置台夹角的区域内存在所述高度障碍物时,根据所述高度障碍物,利用所述翻转结构与所述支柱规划所述翻转晶圆在所述放置台夹角的区域内的夹持轨迹,利用所述夹持轨迹实现所述半导体晶圆从所述当前放置台至所述目标放置台的夹持翻转处理,得到夹持翻转处理结果。

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权利要求:

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