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申请/专利权人：夏普株式会社

摘要：提供具备特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备第1TFT和第2TFT，第1TFT具有第1氧化物半导体层和隔着第1栅极绝缘层配置在第1氧化物半导体层的一部分上的第1栅极电极，第1栅极绝缘层具有包含第1绝缘膜和配置在第1绝缘膜上的第2绝缘膜的层叠结构，第2TFT具有第2氧化物半导体层和第2栅极电极，第2氧化物半导体层具有比第1氧化物半导体层高的迁移率，第2栅极电极隔着第2栅极绝缘层配置在第2氧化物半导体层的一部分上，第2栅极绝缘层包含第2绝缘膜，并且不包含第1绝缘膜，在第2氧化物半导体层与基板之间还具备包含第1绝缘膜的下部绝缘层。

主权项：1.一种有源矩阵基板的制造方法，上述有源矩阵基板具备多个氧化物半导体TFT，上述有源矩阵基板的制造方法的特征在于，上述多个氧化物半导体TFT包含形成于第1TFT形成区域的第1TFT和形成于第2TFT形成区域的第2TFT，上述有源矩阵基板的制造方法包含如下工序：A在上述第1TFT形成区域和上述第2TFT形成区域中的每一形成区域中，在基板上形成第1氧化物半导体膜；B通过进行上述第1氧化物半导体膜的图案化，在上述第1TFT形成区域中，形成成为上述第1TFT的活性层的第1氧化物半导体层，在上述第2TFT形成区域中，除去上述第1氧化物半导体膜；C在上述第1TFT形成区域和上述第2TFT形成区域中的每一形成区域中形成第1绝缘膜，其中，上述第1绝缘膜覆盖上述第1氧化物半导体层；D在上述第1TFT形成区域和上述第2TFT形成区域中的每一形成区域中，在上述第1绝缘膜上形成具有比上述第1氧化物半导体膜高的迁移率的第2氧化物半导体膜；E通过进行上述第2氧化物半导体膜的图案化，在上述第1TFT形成区域中，除去上述第2氧化物半导体膜，在上述第2TFT形成区域中，形成成为上述第2TFT的活性层的第2氧化物半导体层；F在上述第1TFT形成区域和上述第2TFT形成区域中的每一形成区域中形成第2绝缘膜，其中，上述第2绝缘膜覆盖上述第2氧化物半导体层和上述第1绝缘膜；G通过在上述第2绝缘膜上形成第1导电膜并使用抗蚀剂掩模进行上述第1导电膜的图案化，在上述第1TFT形成区域形成第1栅极电极，在上述第2TFT形成区域形成第2栅极电极，其中，当从上述基板的法线方向观看时，上述第1栅极电极重叠于上述第1氧化物半导体层的一部分，上述第2栅极电极重叠于上述第2氧化物半导体层的一部分；以及H进行上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜的图案化，其中，在上述第1TFT形成区域中，通过以上述抗蚀剂掩模或者上述第1栅极电极为掩模对上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜进行图案化，在上述第1栅极电极与上述第1氧化物半导体层之间形成具有包含上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜的层叠结构的第1栅极绝缘层，在上述第2TFT形成区域中，通过以上述抗蚀剂掩模或者上述第2栅极电极为掩模对上述第2绝缘膜进行图案化，在上述第2栅极电极与上述第2氧化物半导体层之间形成包含上述第2绝缘膜的第2栅极绝缘层，并且以上述第2氧化物半导体层为掩模对上述第1绝缘膜进行图案化，在上述第2氧化物半导体层与上述基板之间形成包含上述第1绝缘膜的下部绝缘层。

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权利要求：

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