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申请/专利权人：深圳航天科技创新研究院

摘要：本实用新型为一种采用宽调谐范围延时单元的宽带脉冲发生器，包括矩形脉冲发生器模块和模拟振荡器电路；矩形脉冲发生器模块包括逻辑异或门电路和可控的宽调谐范围延时单元；外部时钟信号连接逻辑异或门电路，同时外部时钟信号通过宽调谐范围延时单元连接逻辑异或门电路；宽调谐范围延时单元为级联π型结构，其中联π型结构包括单级π型结构、多级π型结构以及双级π型结构，任意两个相邻的π型结构之间设有双刀双掷开关或单刀双掷开关；本实用新型基于CMOS半导体工艺和无源LC器件，在保证输出信号稳定的情况下，具有良好的相位噪声，提高收发系统的性能，有效提高雷达传感器的稳定性，探测范围和探测灵敏度。

主权项：1.一种采用宽调谐范围延时单元的宽带脉冲发生器，其特征在于：包括矩形脉冲发生器模块和模拟振荡器电路；矩形脉冲发生器模块包括逻辑异或门电路和可控的宽调谐范围延时单元；外部时钟信号连接逻辑异或门电路，同时外部时钟信号通过宽调谐范围延时单元连接逻辑异或门电路；宽调谐范围延时单元为级联π型结构，其中联π型结构包括单级π型结构、多级π型结构以及双级π型结构，任意两个相邻的π型结构之间设有双刀双掷开关或单刀双掷开关，从而实现选择性打开从而改变信号的有效传输时间；模拟振荡器电路包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、电感L1、电感L2、压控可变电容Vc1、压控可变电容Vc2、电容C11、电容C12、电容C21、电容C22；晶体管M3的漏极与晶体管M4的栅极相连，晶体管M4的漏极与晶体管M3的栅极相连；晶体管M3的源极与晶体管M4的源极相连并连接VDD；晶体管M3的漏极与晶体管M1的源极连接，晶体管M1的漏极与电感L1的一端连接，晶体管M1的栅极与电感L2的一端连接；晶体管M4的漏极与晶体管M2的源极连接，晶体管M2的漏极与电感L1的另一端连接，晶体管M2的栅极与电感L2的另一端连接；电容C21的一端和电容C22的一端相互连接，电容C21的另一端与晶体管M3的漏极连接，电容C22的另一端与晶体管M4的漏极连接；电容C11的两端分别连接晶体管M1的漏极和源极，电容C12的两端分别连接晶体管M2的漏极和源极；压控可变电容Vc1的一端和压控可变电容Vc2的一端相互连接，压控可变电容Vc1的另一端连接晶体管M1的漏极，压控可变电容Vc2的另一端连接晶体管M2的漏极；压控可变电容Vc1的另一端连接VOP，压控可变电容Vc2的另一端连接VON；逻辑异或门电路连接VDD。

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