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申请/专利权人：安徽光智科技有限公司
摘要：本发明涉及芯片加工领域，具体是一种晶圆的划片工艺和InSb芯片。本发明提供的划片工艺，使用多步距划片方式进行划片，在特定划片方向和步距的设定下能够达到逐步释放晶圆内部应力的作用，能够防止崩边产生；特殊的划片方式结合划片前所设置的特定材质保护层，共同降低了晶圆划片时的崩边、裂片风险，合格率高。试验表明，经过本发明所述划片工艺进行划片的InSb晶圆在100倍光学显微镜下观察无崩边、裂片现象，而单一采用本发明所述划片方式或者设置保护层的方法进行划片的InSb晶圆则出现较明显的崩边。
主权项：1.一种晶圆的划片工艺，其特征在于，包括以下步骤：在待划片晶圆表面依次设置蜡层、半导体材料片和划片保护膜；在所述待划片晶圆的另一表面进行划片；所述划片的方式包括：第一步：使用8～12倍步距切割所述待划片晶圆的CH1面；第二步：使用4～6倍步距切割所述待划片晶圆的CH2面；第三步：使用1～2倍步距切割所述待划片晶圆的CH1面；第四步：使用1～2倍步距切割所述待划片晶圆的CH2面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽光智科技有限公司 一种晶圆的划片工艺和InSb芯片
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