买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:南亚科技股份有限公司
摘要:本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板和一第一隔离结构。该基板具有一单元区域和一周围区域。该第一隔离结构设置于该基板的该单元区域中。该第一隔离结构包括一第一介电层和一第二介电层。该第二介电层通过该第一介电层与该基板间隔开。该第二介电层掺杂有一掺杂物。
主权项:1.一种半导体元件,包括:一基板,具有一单元区域和一周围区域;以及一第一隔离结构,设置于该基板的该单元区域中,其中该第一隔离结构包括:一第一介电层;以及一第二介电层,通过该第一介电层与该基板间隔开,其中该第二介电层掺杂有一掺杂物。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 南亚科技股份有限公司 具有掺杂物的隔离结构的半导体元件及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。