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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明涉及一种高三线态能级激子限域电子传输材料及其制备方法与应用。本发明所述的激子限域电子传输材料在螺芴的3、6位连接，具有较高的三线态能级≥2.8eV，有利于三线态激子的限域与阻挡；三联吡啶配合螺芴的N原子取代，有利于增加电子传输能力；该材料的整个分子成非平面结构，避免分子间聚集和相互作用，该材料具有很好的热稳定性，玻璃化转变温度超过180℃。使用该材料制成的器件发光效率提高显著。
主权项：1.一种高三线态能级激子限域电子传输材料，为如下式1所示物质的衍生物， 其特征在于，所述激子限域电子传输材料的结构为：上述结构式中所示的四个苯环结构中至少有一个苯环结构上的至少一个C被N取代；式1中，R1和R2为三联吡啶，其结构式为： 上式中，三联吡啶的各吡啶环的N原子分别位于2-6位中的任意一位、1’3’5’位中的任意一位和2”-6”位中的任意一位。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种高三线态能级激子限域/电子传输材料及应用
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