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申请/专利权人：广州诺尔光电科技有限公司
摘要：本申请提供一种单光子雪崩二极管图像传感器晶圆及其制造方法、一种单光子雪崩二极管图像传感器及其制造方法，方法包括：提供施主衬底，施主衬底包括后续能够进行光响应的吸收层。提供目标衬底，目标衬底包括依次层叠设置的第二衬底、埋氧层和第一硅层，在目标衬底上形成第一绝缘层，构成受主衬底，键合受主衬底和施主衬底，去除部分厚度的第一衬底，得到单光子雪崩二极管图像传感器晶圆。通过利用包括第二衬底、埋氧层和第一硅层的目标衬底，以及在目标衬底上形成第一绝缘层能够形成双层谐振腔结构，双层谐振腔结构能够形成高性能单光子雪崩二极管图像传感器晶圆，最终制造得到高性能单光子雪崩二极管图像传感器。
主权项：1.一种单光子雪崩二极管图像传感器晶圆的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供施主衬底，所述施主衬底包括依次层叠设置的第一衬底、雪崩层、第一掺杂层、渐变层、吸收层、第二掺杂层和键合层，所述吸收层的材料至少包括铟镓砷，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的掺杂类型为第一掺杂类型或第二掺杂类型，所述第一掺杂类型为P型掺杂和N型掺杂中的其中一个，所述第二掺杂类型为P型掺杂和N型掺杂中的另一个，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的材料为磷化铟，所述第一衬底至少包括目标层，所述目标层的材料为磷化铟；提供目标衬底，所述目标衬底包括依次层叠设置的第二衬底、埋氧层和第一硅层；在所述目标衬底上形成第一绝缘层，构成受主衬底；以所述键合层朝向所述第一绝缘层的方向键合所述受主衬底和所述施主衬底；去除部分厚度的所述第一衬底，得到单光子雪崩二极管图像传感器晶圆。
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百度查询： 广州诺尔光电科技有限公司 单光子雪崩二极管图像传感器晶圆及其制造方法、单光子雪崩二极管图像传感器及其制造方法
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