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申请/专利权人：北京大钲科技有限公司
摘要：本发明公开了一种一种向超高真空引入卤素的方法及电解卤素源，所述方法是在超高真空环境下，对卤化物压片进行加热至卤化物压片两端电阻小于一千欧姆，再在卤化物压片两侧施加电压使得卤化物进行电解产生卤素气体；所述卤化物压片是由卤化物颗粒或粉末经过压制而成的固体片状物质。超高真空电解卤素源为实现上述方法的相应装置。本发明采用卤化物压片升温后电解生成卤素分子，原料易得制备简单，不引入污染，适用于氟氯溴碘等所有常见卤素以及各种衬底种类和沉积温度。
主权项：1.一种向超高真空引入卤素的方法，其特征在于，在超高真空环境下，对卤化物压片进行加热至卤化物压片两端电阻小于一千欧姆，再在卤化物压片两侧施加电压使得卤化物进行电解产生卤素气体；所述卤化物压片是由卤化物颗粒或粉末经过压制而成的固体片状物质。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大钲科技有限公司 一种向超高真空引入卤素的方法及电解卤素源
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