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申请/专利权人：三菱电机株式会社
摘要：本发明的目的在于减小包含并联连接的Si开关元件及SiC开关元件的逆变器的总损耗。逆变器101具有SiCMOSFET模块1、与SiCMOSFET模块1并联连接的SiIGBT模块2、对SiCMOSFET模块1进行控制的SiCMOSFET模块用控制电路7和对SiIGBT模块2进行控制的SiIGBT模块用控制电路8。SiCMOSFET模块用控制电路7在SiCMOSFET模块1的元件温度高于第1阈值的情况下，停止SiCMOSFET模块1的驱动。SiIGBT模块用控制电路8在SiIGBT模块2的元件温度高于第2阈值的情况下，停止SiIGBT模块2的驱动。
主权项：1.一种逆变器，其具有：SiCMOSFET模块，其包含多个SiCMOSFET；SiIGBT模块，其与所述SiCMOSFET模块并联连接，包含多个SiIGBT；SiCMOSFET模块用控制电路，其对所述SiCMOSFET模块1进行控制；以及SiIGBT模块用控制电路，其对所述SiIGBT模块进行控制，所述SiCMOSFET模块用控制电路在所述SiCMOSFET模块的元件温度高于预先确定的第1阈值的情况下，停止所述SiCMOSFET模块的驱动，所述SiIGBT模块用控制电路在所述SiIGBT模块的元件温度高于预先确定的第2阈值的情况下，停止所述SiIGBT模块的驱动，在所述SiCMOSFET模块的元件温度小于或等于所述第1阈值且所述SiIGBT模块的元件温度小于或等于所述第2阈值的情况下，所述SiCMOSFET模块用控制电路对所述SiCMOSFET模块进行驱动，所述SiIGBT模块用控制电路对所述SiIGBT模块进行驱动。
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