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一种高压LDO过冲保护电路 

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申请/专利权人:玄武石半导体(武汉)有限公司

摘要:本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种高压LDO过冲保护电路。包括电阻R1,用于限制支路电流,电阻R2、电容C1,用于过滤输出V电压纹波,电容C2,用于稳定IPD节点的电压,二极管D1,用于保护MN4栅极防止其击穿,MOS管MN1、MOS管MP1构成过冲检测电路,检测到过冲电压时,MOS管导通,MOS管MN2、MOS管MN3构成N型电流镜开始工作,将左侧电流复制到右侧电路,高压MOS管MN4为耐高压器件,起耐压作用,MOS管MP2、MOS管MP3、MOS管MP4构成P型电流镜,在右侧电路导通后,复制右侧电路电流,对PGATE1、PGATE2节点电压进行上拉,关闭LDO的功率管,从而达到过冲保护的效果,提高电路的安全性和鲁棒性。

主权项:1.一种高压LDO过冲保护电路,其特征是,包括:第一电阻R1、第二电阻R2,第一电容C1、第二电容C2,二极管D1,第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4,第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、端口VLDO、端口V、端口IPD、端口G、端口PGATE1、端口PGATE2、端口HV;所述端口VLDO与所述第一电阻R1相接,所述第一电阻R1与所述第一PMOS管MP1的源极、所述二极管D1的负端、第四NMOS管MN4的栅极相连;所述端口V与第二电阻R2相连,所述第二电阻R2与所述第一PMOS管MP1的栅极、第一电容C1相连,所述第一NMOS管MN1的栅极与所述端口V相连,所述第一PMOS管MP1的漏极与所述第一NMOS管MN1的漏极相连;所述端口IPD与第一NMOS管MN1的源极、第二电容C2、二极管D1的正端、所述第二NMOS管MN2的漏极、所述第二NMOS管MN2的栅极、所述第三NMOS管MN3的栅极相连;所述端口G与所述第一电容C1、所述第二电容C2、所述第二NMOS管MN2的源极、所述第三NMOS管MN3的源极相连;所述第三MOS管MN3的漏极与所述第四NMOS管MN4的源极相连,所述第四NMOS管MN4的漏极与所述第二PMOS管MP2的漏极、所述第二PMOS管MP2的栅极、所述第三PMOS管MP3的栅极、所述第四PMOS管MP4的栅极相连;所述端口PGATE1与所述第三PMOS管MP3的漏极相连,所述端口PGATE2与第四PMOS管MP4的漏极相连;所述端口HV与所述第二PMOS管MP2的源极、所述第三PMOS管MP3的源极、所述第四PMOS管MP4的源极相连。

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