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一种低噪声高电源抑制比的LDO 

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申请/专利权人:深圳飞渡微电子有限公司

摘要:本发明公开了一种低噪声高电源抑制比的LDO包括:基准端、差分降噪电路、偏置恒压电路、差分转单端电路、负载端;基准端的输出端连接差分降噪电路的输入端;差分降噪电路用于对基准电压信号vref进行差分和降噪处理。差分降噪电路的输出端连接偏置恒压电路的一输入端;偏置恒压电路用于提供不随外部电源VDD变化的输出电压;偏置恒压电路的另一输入端连接外部供电源VDD;偏置恒压电路的输出端连接差分转单端电路的输入端;差分转单端电路的输出端连接负载端。本发明的一种低噪声高电源抑制比的LDO不仅结构简单、功耗和面积消耗低,还实现高PSRR的低噪声的LDO供电方案。

主权项:1.一种低噪声高电源抑制比的LDO,其特征在于,包括:基准端、差分降噪电路、偏置恒压电路、差分转单端电路、负载端;所述基准端的输出端连接所述差分降噪电路的输入端;所述基准端用于在其输出端输出基准电压信号vref;所述差分降噪电路用于对所述基准电压信号vref进行差分和降噪处理;所述差分降噪电路的输出端连接所述偏置恒压电路的一输入端;所述偏置恒压电路用于提供不随外部供电源VDD变化的输出电压;所述偏置恒压电路的另一输入端连接外部供电源VDD;所述偏置恒压电路的输出端连接所述差分转单端电路的输入端;所述差分转单端电路用于将差分信号转换为单端信号输出;所述差分转单端电路的输出端连接负载端,用于为负载端提供驱动信号;其中,所述差分降噪电路具体包括:差分对、晶体管M5和RC滤波电路;所述基准端的输出端经所述RC滤波电路与所述差分对的一输入端连接;所述差分对的输出端连接所述偏置恒压电路的输入端;所述差分对经所述晶体管M5接地;所述差分对用于对所述基准电压信号vref进行差分和降噪处理;所述晶体管M5用于为所述差分对提供尾电流,而所述差分对包括:晶体管M1和晶体管M2;其中,所述RC滤波电路包括由电阻和接地电容构成,用于基准电压信号vref降噪;其中,所述偏置恒压电路具体包括:第一偏置电流源、第二偏置电流源、晶体管M3和晶体管M4;所述第一偏置电流源和所述第二偏置电流源的输入端均与外部供电源VDD连接;所述第一偏置电流源的输出端与所述晶体管M3的漏极连接;所述第一偏置电流源用于为所述晶体管M3提供稳态工作点;所述第二偏置电流源的输出端与所述晶体管M4的漏极连接;所述第二偏置电流源用于为所述晶体管M4提供稳态工作点;所述晶体管M3的漏极还与分别与所述晶体管M1的漏极和所述差分转单端电路的第一输入端连接;所述晶体管M3的源极接地;所述晶体管M3的栅极短接所述晶体管M3的漏极;所述晶体管M4的漏极还与分别与所述晶体管M2的漏极和所述差分转单端电路的第二输入端连接;所述晶体管M4的源极接地;所述晶体管M4的栅极短接所述晶体管M4的漏极;所述晶体管M4的漏极和所述晶体管M4的漏极作为所述偏置恒压电路的输出端,输出恒定电压;其中,所述差分转单端电路具体包括:由晶体管M6、晶体管M7、晶体管M8和晶体管M9连接构成的电流镜结构;所述电流镜结构用于将差分信号不损失电压增益地转换为单端信号;所述电流镜结构包括两个输入端和一个输出端;所述电流镜结构的输入端用于输入差分信号;所述电流镜结构的输出端用于输出单端信号。

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