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一种Ta-Hf-C陶瓷材料及其制备方法和应用 

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申请/专利权人:中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院

摘要:本发明涉及陶瓷材料技术领域,尤其涉及一种Ta‑Hf‑C陶瓷材料及其制备方法和应用。Ta‑Hf‑C陶瓷材料的化学式为TaaHfbCc;其中,3≤a≤4.5,0.5≤b≤2且a+b+c=10。Ta‑Hf‑C陶瓷材料采用多靶直流磁控溅射制备得到。本发明提供的一种Ta‑Hf‑C陶瓷材料薄膜表面粗糙度为1.03~1.35nm,薄膜的硬度为21.34~25.23GPa,弹性模量为270.1~286.6GPa,具有更加广泛的应用前景,可以应用于极端服役条件。本发明Ta‑Hf‑C陶瓷材料采用多靶直流磁控溅射的方式制备,得到的Ta‑Hf‑C陶瓷材料成分可控且均匀。

主权项:1.一种Ta-Hf-C陶瓷材料,其特征在于,化学式为TaaHfbCc;其中,3≤a≤4.5,0.5≤b≤2且a+b+c=10。

全文数据:

权利要求:

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