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申请/专利权人：江苏神州半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了用于TSV刻蚀设备的智能控制方法，属于智能控制领域，包括：采用预设刻蚀工艺参数，进行深孔刻蚀处理，并在刻蚀过程中，形成刻蚀深度序列，获得基材成分特征信息；根据基材成分特征信息和预设刻蚀工艺参数，获得孔壁刻蚀形貌，以此获得导体沉积缺陷信息和电气连接质量衰减信息；根据电气连接质量衰减信息，决策调整步长；对预设刻蚀工艺参数进行调整优化，获得最优刻蚀工艺参数；继续进行刻蚀控制，并在下一预设时间段内继续进行刻蚀工艺参数的优化和控制。通过实时检测刻蚀深度，预测导体填充缺陷和电气连接质量，并据此动态优化刻蚀工艺参数，达到了提升TSV深孔刻蚀质量，改善导体填充效果，保证芯片电性能的技术效果。
主权项：1.用于TSV刻蚀设备的智能控制方法，其特征在于，所述方法包括：采用预设刻蚀工艺参数，基于TSV刻蚀设备对基材的刻蚀区域进行深孔刻蚀处理，并在刻蚀过程中，通过干涉测量，在预设时间段内持续检测采集刻蚀形成深孔内的刻蚀深度信息，形成刻蚀深度序列；分别根据所述刻蚀深度序列，进行基材成分特征分析，获得基材成分特征信息；根据所述基材成分特征信息和所述预设刻蚀工艺参数，进行深孔孔壁的刻蚀形貌预测，获得孔壁刻蚀形貌；根据所述孔壁刻蚀形貌，分别进行通孔刻蚀完成后导体沉积的缺陷预测，获得导体沉积缺陷信息，并分析获得电气连接质量衰减信息；根据所述电气连接质量衰减信息，决策对预设刻蚀工艺参数进行调整优化的调整步长；根据所述调整步长，结合所述基材成分特征信息，以提升孔壁刻蚀形貌的标准度为目的，对所述预设刻蚀工艺参数进行调整优化，获得最优刻蚀工艺参数；采用所述最优刻蚀工艺参数继续进行刻蚀控制，并在下一预设时间段内继续进行刻蚀工艺参数的优化和控制。
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权利要求：
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