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申请/专利权人：全芯智造技术有限公司
摘要：本公开的实施例涉及一种用于光刻仿真的方法、设备和介质，在此提出的方法包括：针对多个光刻胶单元中的每个光刻胶单元，基于用户设置的用于近邻相互作用的截断半径，分别确定第一组近邻光刻胶单元和第二组近邻光刻胶单元；基于该光刻胶单元与第一组近邻光刻胶单元之间的相应对势能项，确定该光刻胶单元的对势能；基于该光刻胶单元与第二组近邻光刻胶单元之间的相应嵌入势能项，确定该光刻胶单元的嵌入势能；以及基于针对多个光刻胶单元分别确定的对势能和嵌入势能，确定多个光刻胶单元的总势能。以此方式，不仅能够更准确地捕捉光刻胶在复杂多变条件下的形貌变化，还拓宽了光刻胶形貌模拟的适用范围。
主权项：1.一种用于光刻仿真的方法，其特征在于，包括：针对多个光刻胶单元中的每个光刻胶单元，基于用户设置的用于近邻相互作用的截断半径，分别确定第一组近邻光刻胶单元和第二组近邻光刻胶单元；基于该光刻胶单元与所述第一组近邻光刻胶单元之间的相应对势能项，确定该光刻胶单元的对势能；基于该光刻胶单元与所述第二组近邻光刻胶单元之间的相应嵌入势能项，确定该光刻胶单元的嵌入势能；以及基于针对所述多个光刻胶单元分别确定的所述对势能和所述嵌入势能，确定所述多个光刻胶单元的总势能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 全芯智造技术有限公司 用于光刻仿真的方法、设备和介质
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