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一种硒诱导缺陷铜基硫/硒化物材料及其制备方法和应用 

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申请/专利权人:洛阳理工学院

摘要:本发明涉及钠离子电池电极材料领域,具体是一种硒诱导缺陷铜基硫硒化物材料及其制备方法和应用,通过共沉淀策略优先制备一种新型铜基金属有机框架化合物Cys‑Cu前驱体;再将前驱体与硒源在惰性气氛下进行热解硒化,然后自然冷却到室温即可得到产物。该制备方法充分利用前驱体中配体富含SN等杂原子优势,仅通过前驱体的制备、硒化两步便得到具有富空位的铜基硫硒化物复合材料,制作工艺简单高效,周期短,稳定性好。利用该方法得到的复合材料含有丰富阳离子空位及由铜基硫化物与硒化物自发构建的异质界面,这不仅能够提高材料电导率,促进有效的电子离子运输,还能够创造更多储钠活性位点,进一步提升材料储钠容量和结构稳定性。

主权项:1.一种硒诱导缺陷铜基硫硒化物材料的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:(1)将醋酸铜溶解于水中配制成溶液A;将半胱氨酸溶解于水中,待其完全溶解后加入NaOH溶液将上述溶液的pH值调至碱性,得到溶液B;随后将溶液A加入到溶液B中,并在恒温水浴下搅拌反应,反应结束后,将得到的混合溶液进行离心分离,弃去上层液体,得到下层沉淀物,并用水将沉淀物多次离心洗涤,然后真空干燥,得到Cys-Cu前驱体;(2)将Cys-Cu前驱体置于瓷舟A内,将硒粉置于瓷舟B内,随后将瓷舟A、B分别放入双温区管式炉的下游和上游,在惰性气氛下升温至一定温度,并恒温一段时间,恒温结束后自然冷却至室温,即可得到硒诱导缺陷铜基硫硒化物材料。

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权利要求:

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