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申请/专利权人：季华实验室
摘要：本发明公开了一种钒掺杂层状硒化物及其单晶体的制备方法，涉及晶体材料制备技术领域，该硒化物的化学式为VxCr2‑xSe3，其中0＜x≤0.25，该硒化物为菱方相（R‑3）结构的晶体。材料电磁输运性能与钒含量相关，可应用于自旋电子器件、硬盘驱动器、微机电系统等领域。
主权项：1.一种钒掺杂层状硒化物单晶体，其特征在于，所述硒化物单晶体的化学式为VxCr2-xSe3，其中0＜x≤0.25；所述硒化物单晶体的晶体结构为菱方相R-3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 季华实验室 一种钒掺杂层状硒化物及其单晶体的制备方法
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