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申请/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
摘要：本申请公开了一种含吡咯稠环的二聚体材料和制备方法及应用，所述含吡咯稠环的二聚体材料如式I所示。二聚体材料结合了聚合物材料和小分子材料的优点，即有良好的成膜性和优异的光热稳定性，又不存在批次重复性的难题，对于推动有机太阳能电池的产业化具有重要价值。本发明的二聚体材料具有线性且平面的分子结构，在成膜过程中能够形成紧密的分子间π‑π堆积，具有较高的电子迁移率。此外，吡咯稠环结构可以增强分子内电荷转移效应，确保了目标二聚体材料同时具有宽的吸收光谱和高的最低未占据分子轨道能级。基于含吡咯稠环的二聚体材料在制备高效且稳定的太阳能电池器件具有很大潜力；
主权项：1.一种含吡咯稠环的二聚体材料，其特征在于，所述含吡咯稠环的二聚体材料具有式I所示结构： 其中，R1，R2独立地选自C1～C30的烷基I、C1～C30的卤代烷基I、C4～C20的芳基I、C4～C20的取代芳基I、具有式I-1所示基团中的一种；其中，所述取代芳基I的取代基选自烷基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、卤素、烷硫基、卤代烷硫基中的一种；R'—M—*式I-1；其中，R'选自C1～C30的烷基II、C1～C30的卤代烷基II中的一种；M选自O或S；X1，X2独立地选自O、S、Se或Te；Ar1，Ar2独立地选自C4～C20的芳基，且其中含有至少一个噻吩环与式I中的吡咯环形成稠环；EG1，EG2独立地选自具有式Ⅱ所示结构的基团中的一种，其中，式Ⅱ中虚线处为双键连接位置； 式II中，Ar3选自C4～C40的芳基II、C4～C40的取代芳基II、C3～C40的杂芳基、C3～C40的取代杂芳基中的一种；所述取代芳基II、取代杂芳基的取代基独立地选自卤素、氰基、卤代烷基、烷基、烷氧基、烷硫基、酯基、羰基中的任意一种；D选自含有噻吩、所示结构的基团中的一种。
全文数据：
权利要求：
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