首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

TOPCON太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:天合光能股份有限公司

摘要:本申请实施例提供一种TOPCON太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统,涉及太阳能电池技术领域。该制备方法包括:提供N型硅衬底,N型硅衬底具有绒面结构;在N型硅衬底的正面依次形成第一隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层,在N型硅衬底的背面依次形成第二隧穿氧化层和第二掺杂多晶硅层;在第一掺杂多晶硅层上使用激光按照设定的图形进行扫描,形成氧化硅层;去除激光未扫描区域的第一掺杂多晶硅层;在N型硅衬底的正面形成第一钝化膜层,在第二掺杂多晶硅层上形成第二钝化膜层;在N型硅衬底的正面形成正面电极,在所述N型硅衬底的背面形成背面电极。本申请实施例的技术方案可以减少寄生吸收损失,提升了电池开路电压和转换效率。

主权项:1.一种TOPCON太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:提供N型硅衬底,所述N型硅衬底具有绒面结构;在所述N型硅衬底的正面依次形成第一隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层,在所述N型硅衬底的背面依次形成第二隧穿氧化层和第二掺杂多晶硅层;在所述第一掺杂多晶硅层上使用激光按照设定的图形进行扫描,形成氧化硅层;去除激光未扫描区域的第一掺杂多晶硅层;在去除激光未扫描区域的第一掺杂多晶硅层的所述N型硅衬底的正面形成第一钝化膜层,在所述第二掺杂多晶硅层上形成第二钝化膜层;在所述N型硅衬底的正面形成正面电极,在所述N型硅衬底的背面形成背面电极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 天合光能股份有限公司 TOPCON太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。