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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种基于p型Cr2O3的氧化镓结势垒肖特基二极管及制备方法，主要解决现有氧化镓二极管漏电流较大、击穿电压较低的问题。其自下而上包括：阴极金属层1、衬底层2、外延层3、p型掺杂层4、阳极金属层5，该p型掺杂层4采用多个并列的p型氧化铬掺杂层结构，其嵌入在外延层3的上部内或位于外延层3的表面上。各氧化铬掺杂层的间距为0.5μm～100μm，厚度为10nm～500nm，宽度为0.5μm～100μm，掺杂浓度为1015cm‑3～1020cm‑3。本发明通过采用多个并列的p型氧化铬掺杂层结构，降低了器件的漏电流，提高了器件的可靠性和击穿电压，可用于高压大功率、电源开关设备。
主权项：1.一种基于p型Cr2O3的氧化镓结势垒肖特基二极管，自下而上包括：阴极金属层1、衬底层2、外延层3、p型掺杂层4、阳极金属层5，其特征在于：p型掺杂层4采用多个并列的p型氧化铬掺杂层结构，其间距为0.5～100μm，每个p型氧化铬掺杂层的厚度为10～500nm，宽度为0.5～100μm，掺杂浓度为1015cm-3～1020cm-3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 基于p型Cr2O3的氧化镓结势垒肖特基二极管制备方法
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