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申请/专利权人：TDK株式会社
摘要：本发明提高使用氧化镓的结势垒肖特基二极管的浪涌耐受量。结势垒肖特基二极管1包括：由氧化镓构成的半导体基板20和漂移层30；与漂移层30接触的阳极电极40；与半导体基板20接触的阴极电极50；和与阳极电极40和漂移层30接触的p型半导体层60。p型半导体层60包含与阳极电极40接触的第一p型半导体层61和与漂移层30接触的第二p型半导体层62，第二p型半导体层62的价带上端能级比第一p型半导体层61的价带上端能级低。这样，由于使用了能级不同的两个p型半导体层61、62，所以能够提高浪涌耐受量。
主权项：1.一种结势垒肖特基二极管，其特征在于，具备：由氧化镓构成的半导体基板；设置于所述半导体基板上的由氧化镓构成的漂移层；与所述漂移层接触的阳极电极；与所述半导体基板接触的阴极电极；和与所述阳极电极及漂移层接触的p型半导体层，所述p型半导体层包括：与所述阳极电极接触的第一p型半导体层、和与所述漂移层接触的第二p型半导体层，所述第二p型半导体层的价带上端能级低于所述第一p型半导体层的价带上端能级。
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