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一种图案化Bi QDs/MXene异质结电极及其制备方法 

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申请/专利权人:南通大学

摘要:本发明公开一种图案化BiQDsMXene异质结电极及其制备方法,制备方法包括:首先,利用MXenes纳米片在液气界面的自组装和多孔材料诱导的毛细管力挤压效应,在导电基底上沉积MXenes纳米片的单层薄膜Langmuir‑Blodgettmembrane,L‑B膜;随后,通过掩膜法,在MXenes覆盖的导电基底上沉积图案化的BiQDs层,形成BiQDsMXene异质结薄膜电极。相比于传统L‑B膜的制备方式,本发明采用的毛细管力诱导挤压效应,不受复杂仪器设备的限制,并且具有制备过程操作简单和耗时短等优势,能够实现二维材料L‑B膜的大规模制备;另外,本发明图案化异质结电极的制备方法,操作灵活,可适应性强,性能优异,为二维纳米材料异质结电极的设计提供了一种可靠的指导方案。

主权项:1.一种图案化BiQDsMXene异质结电极,其特征在于:包括图案化的BiQDs层和L-B技术沉积的MXene纳米片层,BiQDs层和MXene纳米片层形成BiQDsMXene异质结。

全文数据:

权利要求:

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