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申请/专利权人：苏州大学
摘要：本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制备方法及器件，其包括：S1、将栅极结构及金属氧化物薄膜形成于绝缘衬底上；S2、设置源极、栅极及漏极，分别在金属氧化物薄膜上形成源区及漏区，源区与漏区之间为沟道区，多个止挡件设置于沟道区上方，且沿载流子移动路径间隔排列；S3、通过止挡件在沟道区中制备多个交替排列的本体部及缺陷部，其中，缺陷部的缺陷浓度高于本体部缺陷浓度。本申请相比于现阶段常规半导体器件来说，其不仅具有金属氧化物半导体器件关态泄漏电流低、亚阈值摆幅小的优势，同时还具有能够与多晶硅薄膜晶体管相媲美的导电性能，由此在本行业内具有广泛使用前景。
主权项：1.一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤S1、将栅极结构及所述金属氧化物薄膜形成于绝缘衬底上；步骤S2、在所述绝缘衬底上设置源极、栅极以及漏极，其中，所述栅极连接所述栅极结构，所述源极和所述漏极分别连接所述金属氧化物薄膜，以分别在所述金属氧化物薄膜上形成源区及漏区，在所述金属氧化物薄膜上，所述源区与所述漏区之间为沟道区，多个止挡件设置于所述沟道区远离所述绝缘衬底的一侧，且沿载流子移动路径间隔排列；步骤S3、通过所述止挡件在所述沟道区中制备多个交替排列的本体部及缺陷部，其中，所述缺陷部的缺陷浓度高于所述本体部缺陷浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州大学 一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制备方法及器件
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