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申请/专利权人:核芯互联科技(青岛)有限公司
摘要:本申请提供的晶体管的结构和静电防护器件,涉及半导体技术领域。该方法包括:衬底,衬底中形成有凹槽;第一半导体层,第一半导体层沉积于凹槽的槽底;设置于第一半导体层之上的半导体结构,沿垂直于凹槽的开口方向,半导体结构依次包括第一半导体结构、第二半导体结构和第三半导体结构,其中,第一半导体结构与第三半导体结构均掺杂有第一元素,第二半导体结构掺杂有第二元素,第一元素与第二元素不同;第二半导体结构上分别设置有相互隔离的第一掺杂区域和第二掺杂区域,第一掺杂区域和第二掺杂区域掺杂的元素不同。本申请提供的晶体管的结构,可以降低静电防护器件的漏电流,从而提高静电防护器件的性能。
主权项:1.一种晶体管的结构,其特征在于,包括:衬底,所述衬底中形成有凹槽;第一半导体层,所述第一半导体层沉积于所述凹槽的槽底;设置于所述第一半导体层之上的半导体结构,沿垂直于所述凹槽的开口方向,所述半导体结构依次包括第一半导体结构、第二半导体结构和第三半导体结构,其中,所述第一半导体结构与所述第三半导体结构均掺杂有第一元素,所述第二半导体结构掺杂有第二元素,所述第一元素与所述第二元素不同;所述第二半导体结构上分别设置有相互隔离的第一掺杂区域和第二掺杂区域,所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域掺杂的元素不同。
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权利要求:
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