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申请/专利权人：中国科学技术大学;合肥国家实验室
摘要：本发明提供了一种异质结场效应晶体管器件结构及其制备方法，该异质结场效应晶体管器件结构包括：衬底；异质结晶圆设置在衬底上，异质结晶圆包括量子阱层，量子阱层内形成埋沟通道；栅氧化层设置在异质结晶圆上；栅极设置在栅氧化层上；P型源漏电极与栅极间隔设置，穿过栅氧化层延伸至量子阱层，与量子阱层和栅极形成P型场效应晶体管；N型源漏电极与栅极和P型源漏电极间隔设置，穿过栅氧化层延伸至量子阱层，与量子阱层和栅极形成N型场效应晶体管；改变向栅极施加的电场的方向，使异质结晶圆与栅氧化层的交界面的禁带中的能级缺陷存储或复合电荷载体，从而控制N型场效应晶体管和P型场效应晶体管的阈值电压，其中电荷载体包括电子或空穴。
主权项：1.一种异质结场效应晶体管器件结构，其特征在于，包括：衬底；异质结晶圆，设置在所述衬底上，所述异质结晶圆包括量子阱层，所述量子阱层内形成埋沟通道；栅氧化层，设置在所述异质结晶圆上；栅极，设置在所述栅氧化层上；P型源漏电极，与所述栅极间隔设置，穿过所述栅氧化层延伸至所述量子阱层，与所述量子阱层和所述栅极形成P型场效应晶体管；N型源漏电极，与所述栅极和所述P型源漏电极间隔设置，穿过所述栅氧化层延伸至所述量子阱层，与所述量子阱层和所述栅极形成N型场效应晶体管；其中，改变向所述栅极施加的电场的方向，使所述异质结晶圆与所述栅氧化层的交界面的禁带中的能级缺陷存储或复合电荷载体，以改变所述能级缺陷的电荷量，从而控制所述N型场效应晶体管和所述P型场效应晶体管的阈值电压，其中，所述电荷载体包括电子或空穴。
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百度查询： 中国科学技术大学 合肥国家实验室 异质结场效应晶体管器件结构及其制备方法
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