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申请/专利权人:ASMIP私人控股有限公司
摘要:公开了化学蚀刻目标层的方法。具体地,公开了通过循环化学气相蚀刻过程和原子层蚀刻过程蚀刻目标层的方法。还公开了用于执行化学蚀刻过程的示例性设备。
主权项:1.一种用于化学蚀刻目标层的方法,该方法包括:将包括目标层的衬底安置在反应室中;使目标层的表面与包含卤代烷基胺的蚀刻引发反应物接触,从而形成改性表面;以及使改性表面与包含卤化硅烷的蚀刻剂接触,从而蚀刻目标层的一部分。
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权利要求:
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