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申请/专利权人：京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要：本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。所述方法包括：形成依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；对外延结构进行图形化处理，形成台阶结构；制作保护层，保护层覆盖外延结构；对保护层进行图形化处理，以形成第一通孔和第二通孔；其中，对保护层进行图形化处理的方式如下：在保护层上形成光刻胶掩膜层；光刻胶掩膜层开设有与第一通孔和第二通孔对应的开孔；在光刻胶掩膜层的覆盖下，对保护层进行第一次腐蚀；重复执行多次：烘烤光刻胶掩膜层、利用等离子体轰击光刻胶掩膜层、对保护层进行腐蚀，直到保护层形成第一通孔和第二通孔；除去光刻胶掩膜层。
主权项：1.一种发光二极管制备方法，其特征在于，所述方法包括：形成依次层叠的第一半导体层101、有源层102和第二半导体层103，所述第二半导体层103、所述有源层102、所述第一半导体层101构成外延结构1000；对所述外延结构1000进行图形化处理，形成台阶结构；制作保护层107，所述保护层107覆盖所述外延结构1000；对所述保护层107进行图形化处理，以形成第一通孔111和第二通孔112；其中，对所述保护层107进行图形化处理的方式如下：在所述保护层107上形成光刻胶掩膜层113；所述光刻胶掩膜层113开设有与所述第一通孔111和所述第二通孔112对应的开孔；在所述光刻胶掩膜层113的覆盖下，对所述保护层107进行第一次腐蚀；重复执行多次：烘烤所述光刻胶掩膜层113、利用等离子体轰击所述光刻胶掩膜层113、对所述保护层107进行腐蚀，直到所述保护层107形成所述第一通孔111和所述第二通孔112；除去所述光刻胶掩膜层113；制作通过所述第一通孔111和所述第二通孔112与所述外延结构1000连接的电极结构10。
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