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申请/专利权人：TCL环鑫半导体(天津)有限公司
摘要：本申请提供一种提高碳化硅器件散热性能及导电性能的制备工艺，步骤包括：在衬底上刻蚀形成若干深孔槽；在深孔槽所在的表面制备一层石墨烯保护层。本申请一种提高碳化硅器件散热性能及导电性的制备工艺，在不影响正面工艺的基础上，在背面的碳化硅表面生长一层致密均匀的石墨烯，可大幅提高芯片的散热性能，增强其导热能力，保证芯片导热性和导电性的稳定性和可靠性，提高器件质量。
主权项：1.一种提高碳化硅器件散热性能及导电性的制备工艺，其特征在于，步骤包括：在衬底上刻蚀形成若干深孔槽；在深孔槽所在的表面制备一层石墨烯保护层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： TCL环鑫半导体(天津)有限公司 一种提高碳化硅器件散热性能及导电性的制备工艺
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