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申请/专利权人：博瑞集信(西安)电子科技股份有限公司

摘要：本申请涉及放大器技术领域，揭示了一种低功耗低噪声放大器电路，射频放大电路、有源偏置电路；所述有源偏置电路包括晶体管M3、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C4；所述射频放大电路包括晶体管M1、晶体管M2、反馈电阻R4、反馈电容C3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C5、电容C1、电容C2、电感L1、电感L2、电感L3。低功耗低噪声放大器电路具有更低功耗、更好的增益平坦度的特点，晶体管M3与电阻R5、R6、R7以及电容组成的有源偏置电路具有低功耗、高增益平坦度的特点，从而整体提高了低噪声放大器的效果。

主权项：1.一种低功耗低噪声放大器电路，其特征在于，所述低功耗低噪声放大器电路包括：射频放大电路、有源偏置电路；所述有源偏置电路包括晶体管M3、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C4，其中，所述电阻R5的一端连接所述晶体管M3的漏极，所述晶体管M3的栅极连接所述电阻R7的一端，所述晶体管M3的栅极连接所述晶体管M3的漏极，所述晶体管M3的源极与所述电阻R6一端连接并接地，所述电阻R6的另一端与所述电容C4的一端相连，所述电容C4的另一端与所述电阻R5另一端连接；所述射频放大电路包括晶体管M1、晶体管M2、反馈电阻R4、反馈电容C3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C5、电容C1、电容C2、电感L1、电感L2、电感L3，其中，电容C1的一端连接射频信号输入端，电容C1的另一端连接电阻R7的另一端，电容C1的另一端连接电感L2的一端，电感L2的另一端连接电阻R4的一端，电感L2的另一端连接晶体管M1的栅极连接，电阻R4的另一端连接所述反馈电容C3的一端，所述反馈电容C3的另一端与所述电容C4的另一端连接，所述反馈电容C3的另一端与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端接地，电阻R1的另一端与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与晶体管M2的栅极连接，电阻R3的一端与电容C5的一端连接，电容C5的另一端接地，电阻R1的一端连接晶体管M2的漏极，晶体管M2的源极通过所述电感L3与晶体管M1的漏极连接，所述晶体管M1的源极通过一段微带接地，晶体管M2的漏极连接电感L1的一端，电感L1的另一端接电源VDD，晶体管M2的漏极连接电容C2的一端，所述电容C2的另一端连接射频信号输出端。

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