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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十六研究所
摘要：一种宽带低温低功耗低噪声单片放大器，属于微波器件技术领域，解决现有低温低噪声放大器存在体积大、功耗高、放大电路中电流为多级管芯之和的问题；所述隔直电容C1的一端与晶体管T1的栅极连接，隔直电容C1的另一端作为射频信号输入端，所述晶体管T1的栅极与第一栅极偏置电路连接，晶体管T1的源极接地，所述第一复用电流电路的一端连接晶体管T1的漏极，第一复用电流电路的另一端连接晶体管T2的源极；本发明采用三级电流复用电路结构，使得复用电流小于级联电路结构各级电流的总和，从而使得电流复用结构电路的功耗要低于常规级联结构电路的功耗。
主权项：1.一种宽带低温低功耗低噪声单片放大器，其特征在于，包括第一栅极偏置电路、第二栅极偏置电路、第三栅极偏置电路、第一复用电流电路、第二复用电流电路、漏极偏置电路、晶体管T1、隔直电阻C1、隔直电容C2、去耦电容C3、隔直电容C4、去耦电容C5、晶体管T2、晶体管T3；所述隔直电容C1的一端与晶体管T1的栅极连接，隔直电容C1的另一端作为射频信号输入端，所述晶体管T1的栅极与第一栅极偏置电路连接，晶体管T1的源极接地，所述第一复用电流电路的一端连接晶体管T1的漏极，第一复用电流电路的另一端连接晶体管T2的源极；所述隔直电容C2的一端与晶体管T1的漏极连接，隔直电容C2的另一端与晶体管T2的栅极连接，所述晶体管T2的栅极与第二栅极偏置电路连接，晶体管T2的源极与去耦电容C3的一端连接，所述去耦电容C3的另一端接地；所述隔直电容C4的一端与晶体管T2的漏极连接，隔直电容C4的另一端与晶体管T3的栅极连接，所述晶体管T3的栅极与第三栅极偏置电路连接，晶体管T3的源极与去耦电容C5的一端连接，所述去耦电容C5的另一端接地，所述晶体管T3的漏极连接漏极偏置电路，晶体管T3的漏极作为射频信号输出端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十六研究所 一种宽带低温低功耗低噪声单片放大器
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