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申请/专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司

摘要：本发明提供一种嵌入式快闪存储器及嵌入式快闪存储器栅极及制备方法，栅极制备方法包括：提供衬底，衬底内依次形成低压阱区、高压阱区及cell区，低压阱区、高压阱区和cell区之间均使用浅沟槽隔离结构隔开；于cell区及高压阱区的衬底上形成第一多晶硅层及ONO层，其中，第一多晶硅层露出cell区和高压阱区之间的浅沟槽隔离结构，ONO层覆盖第一多晶硅层还覆盖cell区和高压阱区之间的浅沟槽隔离结构；于低压阱区的衬底上及ONO层上形成第二多晶硅层；于低压阱区形成第一栅极；于cell区及高压阱区形成第二栅极。该方法实现了在制备栅极时，保证低压阱区第一栅极及高压阱区和cell区第二栅极均不被损伤的效果。

主权项：1.一种嵌入式快闪存储器栅极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供衬底，所述衬底内依次形成有低压阱区、高压阱区及cell区，且所述低压阱区、所述高压阱区和所述cell区之间均使用浅沟槽隔离结构隔开；于所述cell区及所述高压阱区的衬底上依次形成第一多晶硅层及ONO层，所述第一多晶硅层的厚度介于900Å~1100Å之间，所述ONO层的厚度介于200Å~300Å之间，其中，所述第一多晶硅层露出所述cell区和所述高压阱区之间的所述浅沟槽隔离结构，所述ONO层覆盖所述第一多晶硅层还覆盖所述cell区和所述高压阱区之间的所述浅沟槽隔离结构；于所述低压阱区的衬底上及所述ONO层上形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层的厚度介于1700Å~1800Å之间；于所述低压阱区形成第一栅极，具体包括：于上述所得结构表面上旋涂第一光刻胶层，所述第一光刻胶层的厚度介于2500Å~2600Å之间，并进行图形化，形成图形化的第一光刻胶层；基于所述图形化的第一光刻胶层刻蚀所述低压阱区衬底上的所述第二多晶硅层；去除所述图形化的第一光刻胶层，以形成单层结构的所述第一栅极；于所述cell区及所述高压阱区形成第二栅极，具体包括：于上述所得结构表面上旋涂第二光刻胶层，所述第二光刻胶层的厚度介于7000Å~8000Å之间，并进行图形化，形成图形化的第二光刻胶层，所述第二光刻胶层的厚度大于所述第一栅极的厚度；基于所述图形化的第二光刻胶层依次刻蚀所述cell区及所述高压阱区衬底上的所述第二多晶硅层、所述ONO层及所述第一多晶硅层；去除所述图形化的第二光刻胶层，以形成叠层结构的所述第二栅极。

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