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申请/专利权人：苏州矩阵光电有限公司
摘要：本发明提供一种用于磁感芯片的聚磁结构以及磁传感器，包括：设置于磁感芯片上表面的第一聚磁部，以及，设置于磁感芯片下表面的第二聚磁部；其中，第一聚磁部以及第二聚磁部均设置有聚磁片，且第一聚磁部以及第二聚磁部中至少有一聚磁部包括n层聚磁片；任一聚磁部中的各聚磁片满足：第i+1层聚磁片与磁感芯片之间的距离大于第i层聚磁片与磁感芯片之间的距离且第i+1层聚磁片靠近第i层聚磁片的表面面积不小于第i层聚磁片靠近第i+1层聚磁片的表面面积；n大于等于2；i=1、2…、n‑1。本发明通过在磁感芯片的上下表面设置沿远离磁感芯片方向面积逐层增大的聚磁片，进一步地提高了磁感芯片的灵敏度，保证了磁传感器在弱磁等检测领域的灵敏性。
主权项：1.一种用于磁感芯片的聚磁结构，其特征在于，所述用于磁感芯片的聚磁结构包括：设置于所述磁感芯片上表面的第一聚磁部，以及，设置于所述磁感芯片下表面的第二聚磁部；当所述第一聚磁部靠近所述磁感芯片的表面面积大于所述磁感芯片的上表面面积时，所述第二聚磁部靠近所述磁感芯片的表面面积小于等于所述磁感芯片的下表面面积；当所述第二聚磁部靠近所述磁感芯片的表面面积大于所述磁感芯片的下表面面积时，所述第一聚磁部靠近所述磁感芯片的表面面积小于等于所述磁感芯片的下表面面积；所述第一聚磁部以及所述第二聚磁部均设置有聚磁片，且所述第一聚磁部以及所述第二聚磁部中至少有一聚磁部包括n层聚磁片；任一聚磁部中的各聚磁片满足：第i+1层聚磁片与所述磁感芯片之间的距离大于第i层聚磁片与所述磁感芯片之间的距离且第i+1层聚磁片靠近第i层聚磁片的表面面积不小于第i层聚磁片靠近第i+1层聚磁片的表面面积；n大于等于2；i=1、2…、n-1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州矩阵光电有限公司 一种用于磁感芯片的聚磁结构以及磁传感器
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