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申请/专利权人:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;扬州阿特斯太阳能电池有限公司;扬州阿特斯光电材料有限公司
摘要:一种太阳能电池及其制备方法,太阳能电池包括位于背面的P区和N区,所述P区包括重掺杂区和轻掺杂区,所述N区的背面设有隧穿层、N型掺杂多晶硅层;太阳能电池还包括位于所述重掺杂区背面的第一电极、位于所述N型掺杂多晶硅层背面的第二电极。所述太阳能电池通过将第一电极和第二电极均设置于背面,正面无金属电极遮挡,受光面积大,光转化效率高,提高了电池效率。并通过在P区设置SE结构,提高了电池的开路电压和短路电流;在N区设置钝化接触结构,对其表面进行钝化,提高了短路电流,整体上提高了电池效率。
主权项:1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:位于背面的P区,所述P区包括重掺杂区和轻掺杂区;所述P区为硼直接在硅衬底背面向内扩散形成的硼扩散层;所述P区的硼结深度为0.5μm~1.0μm;位于背面的N区,所述N区设有隧穿层、N型掺杂多晶硅层;第一电极,位于所述重掺杂区的背面;第二电极,位于所述N型掺杂多晶硅层的背面。
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