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申请/专利权人：上海申矽凌微电子科技股份有限公司
摘要：本实用新型提供了一种基于SOI工艺的双埋层悬浮电极Vertical‑PNP结构，包括：绝缘体上硅结构，在绝缘体上硅结构中的一片硅片中依次堆叠设置有P型埋层BP和浓N型埋层DBN，且浓N型埋层DBN的面积大于P型埋层的面积，P型埋层作为Vertical‑PNP结构的纵向自由电极集电区；绝缘体上硅结构中的一片硅片还包括深磷层DN，深磷层DN呈环形设置在浓N型埋层DBN的边缘处，P型埋层BP上设置有Vertical‑PNP结构的基区。本实用新型深磷层DN和双埋层解决单岛内Vertical‑PNP和其他器件并存时的横向寄生问题和闩锁latch‑up问题，SiO2隔离层解决纵向寄生问题。
主权项：1.一种基于SOI工艺的双埋层悬浮电极Vertical-PNP结构，其特征在于，包括：绝缘体上硅结构，在所述绝缘体上硅结构中的一片硅片中依次堆叠设置有P型埋层BP和浓N型埋层DBN，且所述浓N型埋层DBN的面积大于所述P型埋层BP的面积，所述P型埋层BP作为Vertical-PNP结构的纵向自由电极集电区；所述绝缘体上硅结构中的一片硅片还包括深磷层DN，所述深磷层DN呈环形设置在所述浓N型埋层DBN的边缘处，所述P型埋层BP上设置有Vertical-PNP结构的基区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海申矽凌微电子科技股份有限公司 基于SOI工艺的双埋层悬浮电极Vertical-PNP结构及电路结构
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