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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例提供了一种反熔丝单元、反熔丝阵列及存储器，其中，反熔丝单元包括：基底；基底包括有源区、以及位于有源区中的第一掺杂区；第一栅极结构和第二栅极结构，位于第一掺杂区沿第一方向两侧的有源区的表面；其中，有源区包括沿第三方向延伸的第一对相邻面，第一对相邻面之间构成第一夹角；第一夹角的顶点与有源区顶表面具有第一交点，第一交点位于第一栅极结构在有源区上的投影区域内；第一夹角小于180度；第一方向与第一掺杂区的延伸方向垂直，且位于基底所在的平面内；第三方向与基底所在的平面相交。
主权项：1.一种反熔丝单元，其特征在于，包括：基底；所述基底包括有源区、以及位于所述有源区中的第一掺杂区；第一栅极结构和第二栅极结构，位于所述第一掺杂区沿第一方向两侧的所述有源区的表面；其中，所述有源区包括沿第三方向延伸的第一对相邻面，所述第一对相邻面之间构成第一夹角；所述第一夹角的顶点与所述有源区顶表面具有第一交点，所述第一交点位于所述第一栅极结构在所述有源区上的投影区域内；所述第一夹角小于180度；所述第一方向与所述第一掺杂区的延伸方向垂直，且位于所述基底所在的平面内；所述第三方向与所述基底所在的平面相交。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 反熔丝单元、反熔丝阵列及存储器
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